GaAs 霍爾傳感器A-6日本
關(guān)于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優(yōu)點是靈敏度溫度系數(shù)小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優(yōu)良。我們所有的探頭產(chǎn)品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區(qū)測量范圍主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
關(guān)于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優(yōu)點是靈敏度溫度系數(shù)小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優(yōu)良。我們所有的探頭產(chǎn)品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。
| 型號名稱 | 尖端尺寸 | 磁感受區(qū) | 測量范圍 | 主要用途 |
| A-1 | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-1S | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 用于系統(tǒng)測量 |
| A-4 | φ3 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-5 | φ2.5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-6 | φ1.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
| A-8 | φ2.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-301 | φ5 | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場測量 |
| 主要規(guī)格項目 | A-6 |
| 主要用途 | 對于狹窄的間隙 |
| 霍爾元件 | 砷化鎵 |
| 元素數(shù)量 | 1件 |
| 測量范圍 | 0-3T |
| 工作溫度限制 | -20 至 + 60°C |
| 磁感受區(qū) | 50 微米 x 50 微米 |
| 元件安裝件質(zhì)量 | 聚酰亞胺 |
| 尖端軸直徑 | φ1.2 |
| 軸材質(zhì) | 銅（銅） |
| 電纜長度 | 3m（標準） |