關(guān)于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時(shí)它的優(yōu)點(diǎn)是靈敏度溫度系數(shù)小，相對(duì)于磁場(chǎng)強(qiáng)度的線性度好，高頻特性?xún)?yōu)良。我們所有的探頭產(chǎn)品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。型號(hào)名稱(chēng)尖端尺寸磁感受區(qū)測(cè)量范圍主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
關(guān)于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時(shí)它的優(yōu)點(diǎn)是靈敏度溫度系數(shù)小，相對(duì)于磁場(chǎng)強(qiáng)度的線性度好，高頻特性?xún)?yōu)良。我們所有的探頭產(chǎn)品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。
| 型號(hào)名稱(chēng) | 尖端尺寸 | 磁感受區(qū) | 測(cè)量范圍 | 主要用途 |
| A-1 | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-1S | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 用于系統(tǒng)測(cè)量 |
| A-4 | φ3 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-5 | φ2.5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-6 | φ1.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對(duì)于狹窄的間隙 |
| A-8 | φ2.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-301 | φ5 | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場(chǎng)測(cè)量 |
| 主要規(guī)格項(xiàng)目 | A-301 | A-301A | A-301B |
| 主要用途 | 用于微磁場(chǎng)測(cè)量 | ||
| 霍爾元件 | 砷化鎵 | ||
| 元素?cái)?shù)量 | 1件 | ||
| 測(cè)量范圍 | 0-5T | ||
| 工作溫度限制 | -20 至 + 60°C | ||
| 磁感受區(qū) | 30 微米 x 30 微米 | ||
| 軸徑 | φ3 | φ5 | |
| 軸材質(zhì) | 德?tīng)柫?/span> | 銅（銅） | |
| 處理材料質(zhì)量 | 縮醛樹(shù)脂 | 無(wú)把手 | 鋁（鋁） |
| 電纜長(zhǎng)度 | 3m（標(biāo)準(zhǔn)） | ||