FS-6探頭日本ADS艾迪斯
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途F-11.0tx4mm70 x 70 微米0-3T一般用途FS-
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途F-11.0tx4mm70 x 70 微米0-3T一般用途FS-
關于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。
型號名稱 | 尖端尺寸 | 磁感受區 | 測量范圍 | 主要用途 |
F-1 | 1.0tx4mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-3 | 0.7tx3mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-4 | 0.7tx2mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-5 | 0.7tx3mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-6 | 0.6tx1mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
FS-7 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
FS-8 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
FS-301 | 0.7tx2mm | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場測量 |
主要規格項目 | FS-6 |
主要用途 | 對于狹窄的間隙 |
霍爾元件 | 砷化鎵 |
元素數量 | 1件 |
測量范圍 | 0-3T |
工作溫度限制 | -20 至 + 60°C |
磁感受區 | 50 微米 x 50 微米 |
元件安裝件質量 | 玻璃環氧樹脂 |
尖端尺寸 | 0.6tx 1mm |
軸材質 | BS(黃銅) |
處理材料質量 | 縮醛樹脂 |
電纜長度 | 3m(標準) |