加熱區上下設有IR（紅外線）型加熱器，最高溫度可達1000℃，并可高速升溫75K/秒。
采用氮氣吹掃法的冷卻方法，可實現高達200K/min的溫降。
觸摸屏用于輪廓程序控制。
除了創建溫度控制、氣體流量 (MFC)、真空控制等配置文件程序外，您還可以保存過程數據。
它可以加熱最大尺寸為 156 x 156 毫米或 Φ150 毫米的物體。

• 真空工藝快速加熱爐，盡管其桌面尺寸，最高溫度可達1000℃。

• 兼容氮氣吹掃、氧氣吹掃、合成氣（氫氣+氮氣）吹掃等。

• 由于工作區域是氣體保護的，因此可用于存在污染問題的工藝或其他關鍵工藝。

• 加熱由頂部和底部的 24 個 IR（紅外線）加熱器進行，可實現準確、快速的加熱。

• 與合適的真空泵結合使用，可實現高達 0.1 Pa (10 -3  hPa) 的真空環境（使用 HV 選項時可達 10-6 hPa）。

• 兼容氮氣吹掃法的溫度下降

• 標準配備觸摸屏顯示器。通過觸摸操作輕松操作

• 主機上最多可注冊50個50段（行）的溫度控制程序

標配7英寸觸摸屏。任何控制配置文件程序都可以在觸摸面板上創建和保存，無需單獨的外部 PC。最多可注冊并執行 50 個 50 個步驟的溫度控制程序。此外，標準配置還包括將實驗數據保存到 USB 存儲器的功能。通過 USB 存儲器也可以輕松地將實驗數據移動到任何 PC。

最多可以安裝4個MFC（質量流量控制器）系統，因此除了真空或大氣環境之外，還可以在任何工藝氣體吹掃環境中進行退火。不僅可以在配置文件程序中注冊各種氣體系統的開/關控制，還可以注冊其流量，從而可以輕松再現各種環境。

配備高速紅外 (IR) 加熱器，能夠高速加熱至每分鐘 4500°C 以上（每秒 75°C 以上）（選配時可達 150K/秒）。當然，也可以以輪廓程序指定的任何速率升高溫度。另外，在降溫過程中，通過向腔室中供應冷卻氮氣，可以安全地進行冷卻，而不會損壞處理后的器件表面。