加熱區頂部和底部配備IR（紅外線）型加熱器，最高溫度可達1000℃，升溫速度高達50K/秒（EP選件為100K/秒）。 。
采用氮氣吹掃法的冷卻方法，可實現高達200K/min的溫降。
觸摸屏用于輪廓程序控制。
除了創建溫度控制、氣體流量 (MFC)、真空控制等配置文件程序外，您還可以保存過程數據。
它可以加熱最大尺寸為 182 x 182 毫米或 Φ200 毫米的物體。

• 真空工藝快速加熱爐，盡管其桌面尺寸，最高溫度可達1000℃。

• 兼容氮氣吹掃、氧氣吹掃、合成氣（氫氣+氮氣）吹掃等。

• 由于工作區域是氣體保護的，因此可用于存在污染問題的工藝或其他關鍵工藝。

• 加熱由頂部和底部的 24 個 IR（紅外線）加熱器進行，可實現準確、快速的加熱。

• 與合適的真空泵結合使用，可實現高達 0.1 Pa (10 -3  hPa) 的真空環境（使用 HV 選項時可達 10-6 hPa）。

• 兼容氮氣吹掃法的溫度下降

• 標準配備觸摸屏顯示器。通過觸摸操作輕松操作

• 主機上最多可注冊50個50段（行）的溫度控制程序

有效加熱面積為183x 183 x 40毫米或M10 182 x 182毫米太陽能晶圓，但通過可選適配器，它可以容納Φ200毫米和Φ100毫米晶圓。

此外，通過配備雙室選件，可以同時處理兩個晶圓。

標準配備一根質量流量控制器（MFC）氣體管線，可通過程序自由設定氣體流量，并可連接使用?？偣部梢蕴砑?個氣體模塊，并且還可以使用質量流量控制器來控制氣體流量。

腔室外殼 可承受高達 0.1 Pa (10 -3

配置文件程序由新型觸摸屏控制器精確控制。您可以在觸摸屏控制器（SPS控制器）上注冊最多50個最多50段（線）的程序，因此您可以通過簡單的操作調用并執行所需的加工程序。除了創建程序外，您還可以將執行過程的各種數據保存為 CSV 格式，因此您只需主機即可完成所有操作，而無需依賴外部 PC。